[发明专利]基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器及其制备方法有效

专利信息
申请号: 201910608854.0 申请日: 2019-07-08
公开(公告)号: CN110455419B 公开(公告)日: 2020-11-13
发明(设计)人: 谢伟广;曾文;张宇靖;赖浩杰;周洋;刘彭义 申请(专利权)人: 暨南大学
主分类号: G01J5/12 分类号: G01J5/12;G01J3/28
代理公司: 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 代理人: 雷芬芬
地址: 510632 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器,包括:底座、V6O13单晶片、源电极以及漏电极;所述底座为凹形,所述V6O13单晶片的两端固定在所述底座两边的凸起,所述V6O13单晶片和所述底座之间形成空腔,所述V6O13单晶片两端的上表面分别镀金属薄膜,分别作为源电极、漏电极。本发明采用的悬空式光电探测器器件结构,利用V6O13单晶片与基底的悬空,极大的减少了V6O13单晶片与基底之间发热导,提高探测器的信噪比,显著提高器件的光电性能。本发明提供的基于V6O13单晶片的悬空式光电器件,实现0.4‑8.8μm的可见—中红外宽光谱光电响应,其响应时间达毫秒级,有望成为第三代非致冷红外探测器的候选材料。
搜索关键词: 基于 氧化 晶片 悬空 光电 探测器 及其 制备 方法
【主权项】:
1.一种基于氧化钒单晶片的悬空式光电探测器,其特征在于,包括:底座、V6O13单晶片、源电极以及漏电极;/n所述底座为凹形,所述V6O13单晶片的两端固定在所述底座两边的凸起,所述V6O13单晶片和所述底座之间形成空腔,所述V6O13单晶片两端的上表面分别镀金属薄膜,分别作为源电极、漏电极。/n
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