[发明专利]电子设备及其制造方法有效
| 申请号： | 201910608925.7 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN110943159B | 公开（公告）日： | 2023-04-28 |
| 发明（设计）人： | 金晃衍 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | H10N70/20 | 分类号： | H10N70/20;H10B63/00 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 许伟群;周晓雨 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种电子设备及其制造方法。制造包括半导体存储器的电子设备的方法包括：形成沿第一方向延伸并具有闭环形状的第一导电结构；形成沿第二方向延伸并具有闭环形状的第二导电结构，第二方向与第一方向交叉；形成位于第一导电结构与第二导电结构的交叉处的存储单元；通过刻蚀第一导电结构的端部部分形成沿第一方向延伸的第一导电图案；通过刻蚀第二导电结构的端部部分形成沿第二方向延伸的第二导电图案；在第一导电图案和第二导电图案中的每一者的被刻蚀的表面上形成第一保护层；并在第一保护层上形成间隙填充层。 | ||
| 搜索关键词： | 电子设备 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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