[发明专利]高频放大电路及半导体装置在审
| 申请号： | 201910609460.7 | 申请日： | 2019-07-08 |
| 公开（公告）号： | CN111541428A | 公开（公告）日： | 2020-08-14 |
| 发明（设计）人： | 濑下敏树;栗山保彦 | 申请（专利权）人： | 株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社 |
| 主分类号： | H03F3/193 | 分类号： | H03F3/193;H03F1/26;H03F1/02 |
| 代理公司： | 永新专利商标代理有限公司 72002 | 代理人： | 刘英华 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 实施方式提供实现优良的IIP3的高频放大电路及半导体装置。高频放大电路具备：具有第1晶体管、电感器和第2晶体管的放大电路；及具有第3晶体管、第4晶体管和第1电容器的畸变补偿电路。第1晶体管对栅极施加输入信号。电感器，一方的端子与第1晶体管的源极连接，另一方的端子接地。第2晶体管，源极与第1晶体管的漏极连接，栅极接地，漏极与电源电压端子连接，从漏极输出将输入信号放大后的信号。第3晶体管为，漏极及栅极连接，在漏极侧与电源电压端子连接。第4晶体管为，漏极及栅极与第3晶体管的源极连接，在源极侧接地。第1电容器将节点与第3晶体管的源极之间连接，该节点为第1晶体管的漏极与第2晶体管的源极之间的节点。 | ||
| 搜索关键词： | 高频 放大 电路 半导体 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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