[发明专利]用于全环栅晶体管器件的子鳍隔离方案

摘要

本文提供了用于全环栅(GAA)晶体管器件的子鳍隔离方案。在一些情况下，子鳍隔离方案包括在每个源极/漏极区域和衬底之间形成一个或多个介电层。在一些这样的情况下，一个或多个介电层包括例如原生于栅极侧壁间隔体的材料，或其他介电材料。在其他情况下，子鳍隔离方案包括衬底改性，其导致在每个源极/漏极区域下方和子鳍中的相反类型的掺杂半导体材料。相反类型的掺杂半导体材料导致该材料与每个源极/漏极区域之间的界面是p‑n或n‑p结，以阻挡载流子流过子鳍。本文描述的各种子鳍隔离方案实现GAA晶体管的更好的短沟道特性(例如，采用一个或多个纳米线，纳米带，或纳米片)，从而改善了器件性能。