[发明专利]晶体有序生长的微晶玻璃的制备方法在审
申请号: | 201910612418.0 | 申请日: | 2019-07-09 |
公开(公告)号: | CN110156333A | 公开(公告)日: | 2019-08-23 |
发明(设计)人: | 姜宏;蒲华俊;赵会峰;符有杰;王琦;王嘉健;曾淋林 | 申请(专利权)人: | 海南中航特玻科技有限公司 |
主分类号: | C03C10/04 | 分类号: | C03C10/04;C03B25/00;C03B19/02;C03B5/16 |
代理公司: | 洛阳明律专利代理事务所(普通合伙) 41118 | 代理人: | 卢洪方 |
地址: | 571924 海南省澄迈县老城高新*** | 国省代码: | 海南;46 |
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摘要: | 本发明属于绿色环保建筑材料技术领域,公开一种晶体有序生长的微晶玻璃的制备方法。微晶玻璃的配合料组成及质量百分比分别为:高炉渣45~57%,硅砂28~36%,氯化钠1.8~2.6%,二氧化钛2~2.8%,氟硅酸钠5.5~7.3%,氧化镁4~6.5%,将配合料在高温炉中于1480~1520℃熔融1.5~4.0小时,浇注脱模后放入560~600℃的精密退火炉中进行退火1~2h;退火后的微晶玻璃在形核保温阶段保温热处,其间在样品两端加上的电场,使基础玻璃在电场的调控下规则形核;然后继续升温至830~860℃保温热处理2~3h,其间在样品两端加上2wv/m~8wv/m的电场。本发明形成主晶相为透辉石的微晶玻璃,理化性能良好;且微晶玻璃内部晶体存在有序生长、分布,结构的有序变化为微晶玻璃的应用开拓了新的方面。 | ||
搜索关键词: | 微晶玻璃 电场 退火 样品两端 配合料 制备 生长 氯化钠 建筑材料技术领域 保温热处理 质量百分比 保温阶段 二氧化钛 氟硅酸钠 基础玻璃 绿色环保 高炉渣 高温炉 规则形 透辉石 退火炉 氧化镁 主晶相 温热 浇注 放入 硅砂 熔融 脱模 形核 精密 调控 应用 | ||
【主权项】:
1.一种晶体有序生长的微晶玻璃的制备方法,其特征在于:微晶玻璃配合料的组成及质量百分比分别为:高炉渣45~57%,硅砂 28~36%,氯化钠 1.8~2.6%,二氧化钛 2~2.8%,氟硅酸钠 5.5~7.3%,氧化镁 4~6.5%,按照配合料组成和质量百分比称量原料并充分混合均匀;混合均匀的配合料在高温炉中于1480~1520℃熔融1.5~4.0小时,随后将熔制均匀的玻璃液浇注在已预热的模具中,脱模后放入已设定温度为560~600℃的精密退火炉中进行退火1~2h;将退火后的微晶玻璃在690~710℃形核保温阶段保温热处理1.5~2.5h,其间在样品两端加上9wv/m~17wv/m的电场,使基础玻璃在电场的调控下规则形核;然后继续升温至830~860℃保温热处理2~3h,其间在样品两端加上2wv/m~8wv/m的电场,使晶核在电场调控下生长,得到晶体有序生长的微晶玻璃;所述的微晶玻璃主晶相为透辉石。
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