[发明专利]基于噻吩功能化的钌(Ⅱ)配合物3D电聚合薄膜有效
申请号: | 201910612896.1 | 申请日: | 2019-07-09 |
公开(公告)号: | CN110294855B | 公开(公告)日: | 2020-09-15 |
发明(设计)人: | 王克志;杨彤;张晨星;李羽佳;傅英焕;尹郅涵 | 申请(专利权)人: | 北京师范大学 |
主分类号: | C08J5/18 | 分类号: | C08J5/18;C08L87/00;C08G83/00;C03C17/32 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 100875 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: |
本发明公开了一种基于噻吩功能化的钌(Ⅱ)配合物3D电聚合薄膜的制备方法及其电化学和光电化学的性质,采用简单的电化学的方法使钌配合物在ITO电极上形成聚合物薄膜,发现3D聚合物膜表现出表面控制的Ru |
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搜索关键词: | 基于 噻吩 功能 配合 聚合 薄膜 | ||
【主权项】:
1.一种基于噻吩功能化的钌(Ⅱ)配合物3D电聚合薄膜,是通过电化学聚合方法将含噻吩基钌配合物沉积到ITO导电玻璃上后得到的聚合薄膜,所述含噻吩基钌配合物由阳离子部分和阴离子部分组成,其中,阳离子部分为[RuL3]2+,阴离子部分为无机盐阴离子ClO4‑,配体L的结构如下式所示:![]()
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