[发明专利]用于自检MEMS惯性传感器的方法和系统有效
| 申请号： | 201910613546.7 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110702141B | 公开（公告）日： | 2023-06-02 |
| 发明（设计）人： | W·A·克拉克 | 申请（专利权）人： | 美国亚德诺半导体公司 |
| 主分类号： | G01C25/00 | 分类号： | G01C25/00 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 张丹 |
| 地址： | 美国马*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开涉及用于自检MEMS惯性传感器的方法和系统。描述微机电系统(MEMS)惯性传感器的自检技术。一些技术涉及测试惯性传感器特性，例如加速度计对加速度的灵敏度和陀螺仪对角运动的灵敏度。可以通过向MEMS惯性传感器提供模拟诸如加速度或角速率的刺激的测试信号并检查传感器的输出来执行测试。这种自检的功效可受到虚假信号的影响，这些信号可存在于传感器环境中并可影响传感器的输出。因此，本文描述的自检技术涉及检测任何这种虚假信号的存在，并在检测到它们的存在时丢弃自检结果。在一些实施方案中，可以使用通过将MEMS惯性传感器的响应与基本上正交的参考信号与测试信号混频而获得的信号来检测虚假信号的存在。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 自检 mems 惯性 传感器 方法 系统 | ||
【主权项】：
1.一种用于测试微机电系统(MEMS)惯性传感器的系统，该系统包括：/n测试电路，被配置为：/n接收表示MEMS惯性传感器对由信号发生器产生的测试信号的响应的响应信号；/n通过将同相参考信号与响应信号混频来产生同相响应信号；/n通过将所述响应信号与正交参考信号混频来产生正交响应信号；/n基于所述正交响应信号确定所述同相响应信号是否用于评估MEMS惯性传感器的特性；和/n当确定所述同相响应信号用于评估MEMS惯性传感器的特性时，使用所述同相响应信号评估MEMS惯性传感器的特性。/n
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