[发明专利]锑掺杂的硅和硅锗膜的原位制备的方法有效
| 申请号： | 201910614722.9 | 申请日： | 2019-07-09 |
| 公开（公告）号： | CN110707006B | 公开（公告）日： | 2023-10-17 |
| 发明（设计）人： | S.B.赫纳;E.哈拉里 | 申请（专利权）人： | 日升存储公司 |
| 主分类号： | H01L21/205 | 分类号： | H01L21/205;H01L29/06;H10B43/35;H10B43/20 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 邱军 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种用于形成锑掺杂的含硅层的工艺，包含：(a)使用锑源气体和硅源气体或硅源气体和锗源气体的组合，通过化学气相沉积在半导体结构上方沉积锑掺杂的含硅层；以及(b)在不大于800℃的温度下退火锑掺杂的含硅层。锑源气体可以包含以下中的一种或多种：三甲基锑(TMSb)和三乙基锑(TESb)。硅源气体包括以下中的一种或多种：硅烷、二硅烷、三氯硅烷(TCS)、二氯硅烷(DCS)、一氯硅烷(MCS)、甲基硅烷，以及四氯化硅。锗源气体包括锗烷。 | ||
| 搜索关键词： | 掺杂 硅锗膜 原位 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种工艺，包括：/n暴露半导体结构的表面；以及/n在所述半导体结构的表面之上流动锑源气体和硅源气体或所述硅源气体和锗源气体的组合，从而通过化学气相沉积在不大于900℃的温度下沉积锑掺杂的含硅层。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
