[发明专利]SRAM模块与SRAM模块的写入控制方法有效
| 申请号： | 201910615928.3 | 申请日： | 2015-02-12 |
| 公开（公告）号： | CN110310690B | 公开（公告）日： | 2022-12-09 |
| 发明（设计）人： | 连南钧;游江成 | 申请（专利权）人： | 円星科技股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/419 | 分类号： | G11C11/419 |
| 代理公司： | 北京科龙寰宇知识产权代理有限责任公司 11139 | 代理人： | 侯奇慧 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明公开了SRAM模块与SRAM模块的写入控制方法。所述SRAM模块，具有多个记忆体单元，包含：一位元线，耦接该多个记忆体单元，用来传输一写入数据；一检测单元，用来产生一控制信号；一电容元件，耦接该位元线；以及一充电单元，耦接该检测单元及该电容元件，用来依据该控制信号对该电容元件充电。其中，当该电容元件充电后，其两端的电压差被用来对该位元线产生一压降。 | ||
| 搜索关键词： | sram 模块 写入 控制 方法 | ||
【主权项】：
1.一种SRAM模块，具有多个记忆体单元，其特征在于，包含：一位元线，耦接该多个记忆体单元，用来传输一写入数据；一检测单元，用来产生一控制信号；一电容元件，耦接该位元线；以及一充电单元，耦接该检测单元及该电容元件，用来依据该控制信号对该电容元件充电；其中，当该电容元件充电后，其两端的电压差被用来对该位元线产生一压降。
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