[发明专利]具有多级转移栅极的CMOS图像传感器

摘要

本发明涉及具有多级转移栅极的CMOS图像传感器。一种图像传感器像素包括：第一电荷存储节点，其经配置以具有第一电荷存储电势；第二电荷存储节点，其经配置以具有第二电荷存储电势且从所述第一电荷存储节点接收电荷，其中所述第二电荷存储电势大于所述第一电荷存储电势；及转移电路，其耦合于所述第一电荷存储节点与所述第二电荷存储节点之间，其中所述转移电路包括至少三个转移区域，其中：第一转移区域接近所述第一电荷存储节点且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第一转移电势；第二转移区域耦合于所述第一转移区域与第三转移区域之间且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第二转移电势；及所述第三转移区域接近所述第三电荷存储节点且经配置以具有大于所述第一电荷存储电势且低于所述第二电荷存储电势的第三转移电势。电荷在多个转移信号脉冲之后完全地从所述第一电荷存储节点转移到所述第二电荷存储节点。