[发明专利]半导体装置在审
| 申请号： | 201910618466.0 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110957353A | 公开（公告）日： | 2020-04-03 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;谢宗霖;林柏廷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/04;H01L29/778;H01L23/64 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 根据本文描述的实施方式的技术涉及包括氮化铝AlN层或氮化铝镓AlGaN层作为铁电层的半导体装置，以及制造具有铁电性质的AlN/AlGaN的薄膜的方法。在铁电晶体管中，在介于栅极电极和第二半导体层(例如GaN层)之间形成表现铁电性质的AlN/AlGaN的薄膜。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
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