[发明专利]一种X射线薄膜窗口电极的制备优化方法以及由此得到的X射线薄膜窗口电极有效
申请号: | 201910618474.5 | 申请日: | 2019-07-10 |
公开(公告)号: | CN110473754B | 公开(公告)日: | 2020-07-31 |
发明(设计)人: | 于鹏飞;刘啸嵩;郑顺;任国玺;张念 | 申请(专利权)人: | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
主分类号: | H01J9/02 | 分类号: | H01J9/02;H01J35/04;G01N23/083;G01N23/20 |
代理公司: | 上海智信专利代理有限公司 31002 | 代理人: | 宋丽荣 |
地址: | 200050 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: |
本发明涉及一种X射线薄膜窗口电极的制备优化方法,包括:根据电极材料确定X射线能量范围;根据特定能量范围内的X射线穿透能力确定至少一个基体层;根据特定能量范围内的X射线穿透能力确定至少一个导电层;得到导电层覆盖在基体层上的至少一个复合层;根据复合层的O |
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搜索关键词: | 一种 射线 薄膜 窗口 电极 制备 优化 方法 以及 由此 得到 | ||
【主权项】:
1.一种X射线薄膜窗口电极的制备优化方法,其特征在于,包括如下步骤:/nS1,根据电极材料确定X射线能量范围;/nS2,根据该X射线能量范围内的吸收长度确定至少一个基体层的第一材料和第一厚度;/nS3,根据该X射线能量范围内的吸收长度确定至少一个导电层的第二材料和第二厚度;/nS4,使用气相沉积方法将第二材料生长于第一材料上以得到导电层覆盖在基体层上的至少一个复合层;/nS5,结合标准电极材料的谱学信号测试确定最终复合层;/nS6,使用旋涂法、刮涂法或气相沉积法在最终复合层的第二材料上形成电极层,从而得到X射线薄膜窗口电极。/n
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