[发明专利]带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法

摘要

本发明公开了一种带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器及制备方法，所述的大规模铟镓砷焦平面探测器在半绝缘InP衬底的背面有应力平衡层。探测器制备的具体步骤如下：1)淀积氮化硅刻蚀掩膜，2)台面刻蚀，3)开N槽，4)生长P电极，5)快速热退火，6)淀积氮化硅钝化膜，7)开P、N电极孔，8)生长加厚电极，9)生长应力平衡层，10)金属化并生长铟柱，11)铟柱剥离并划片。本发明的优点在于：大面阵焦平面探测器平面度好，铟柱形貌更均一，器件耦合连通率高，制备工艺更简单，器件成品率高。

主权项

1.一种带有应力平衡层的大规模铟镓砷焦平面探测器，所述的探测器结构为：在半绝缘InP衬底(1)上，依次为N⁺型InP层(2)、组分渐变的N⁺型In_xAl_1‑xAs缓冲层(3)、In_xGa_1‑xAs吸收层(4)、P⁺型In_xAl_1‑xAs帽层(5)、氮化硅SiN_x钝化膜(6)、P电极(7)、加厚电极(8)、UBM Au电极(9)、铟柱(10)；在半绝缘InP衬底(1)的背面为应力平衡层(11)；其特征在于：所述的大规模铟镓砷焦平面探测器在半绝缘InP衬底(1)的背面有应力平衡层(11)；所述的应力平衡层(11)为双层SiNx复合膜，第一层为厚度d1的低应力膜；第二层为厚度d2的高应力膜；d1和d2由长膜前芯片平面度PV值决定，当0≤PV≤10μm时，d1为d2为当10≤PV≤20μm时，d1为d2为当20≤PV≤30μm时，d1为d2为当30≤PV≤40μm时，d1为d2为当40≤PV≤50μm时，d1为d2为