[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201910618826.7 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110719075B | 公开（公告）日： | 2023-06-23 |
| 发明（设计）人： | 后藤聪 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H03F1/30 | 分类号： | H03F1/30;H03F3/19;H03F3/21;H01L25/16 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 舒艳君;王秀辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明提供一种实现多个单位晶体管间的最高温度的降低或者温度偏差的减少的半导体装置。半导体装置具备：半导体基板，具有与由第一方向以及与第一方向大致正交的第二方向规定的平面平行的主面；多个第一单位晶体管，放大第一频带的第一信号来输出第二信号；以及多个第二单位晶体管，放大第二信号来输出第三信号，主面包括与第一方向平行的第一边，在半导体基板上，在俯视主面时，多个第二单位晶体管在比沿着第一方向的半导体基板的基板中心线靠第一边侧，沿着第二方向排列配置，多个第一单位晶体管被配置成配置有该多个第一单位晶体管的区域的沿着第一方向的第一中心线比配置有多个第二单位晶体管的区域的沿着第一方向的第二中心线远离第一边。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，具备：/n半导体基板，具有与由第一方向以及与所述第一方向大致正交的第二方向规定的平面平行的主面；/n多个第一单位晶体管，对第一频带的第一信号进行放大来输出第二信号；以及/n多个第二单位晶体管，对所述第二信号进行放大来输出第三信号，/n所述主面包括与所述第一方向平行的第一边，/n在所述半导体基板上，/n在俯视所述主面时，所述多个第二单位晶体管在比沿着所述第一方向的所述半导体基板的基板中心线靠所述第一边侧，沿着所述第二方向排列配置，/n所述多个第一单位晶体管被配置成配置有所述多个第一单位晶体管的区域的沿着所述第一方向的第一中心线比配置有所述多个第二单位晶体管的区域的沿着所述第一方向的第二中心线远离所述第一边。/n
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