[发明专利]用于半导体工艺的方法和半导体结构有效
| 申请号： | 201910619176.8 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110718503B | 公开（公告）日： | 2022-04-19 |
| 发明（设计）人： | 张根育;蔡纯怡;蔡明兴;林威戎 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;H01L23/538 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 通常地，本申请提供了涉及诸如金属接触件，通孔，线等的导电部件以及用于形成这些导电部件的方法的示例性实施例。在实例中，沿着侧壁形成阻挡层。通过湿蚀刻工艺沿着侧壁回蚀刻阻挡层的部分。在回蚀刻之后，暴露阻挡层的部分以及下面的介电焊接层。沿着阻挡层形成导电材料。本发明实施例涉及接触导电部件形成和结构。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 半导体 工艺 方法 结构 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体工艺的方法，所述方法包括：/n在介电层中沿开口的侧壁形成介电焊接层；/n在所述介电焊接层上形成阻挡层；/n回蚀刻所述阻挡层的部分以暴露所述介电焊接层的上部的侧表面；以及/n在所述介电焊接层的上部的侧表面上和所述阻挡层上形成导电材料。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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