[发明专利]具有AlGaN插入层的GaN基半导体发光器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201910620133.1 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110401106A | 公开（公告）日： | 2019-11-01 |
| 发明（设计）人： | 张峰;池田昌夫;刘建平;张书明;李德尧;张立群;杨辉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01S5/343 | 分类号： | H01S5/343 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰;阳志全 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有铝镓氮插入层的氮化镓基半导体发光器件及其制作方法，该半导体发光器件包括量子阱结构，其中，所述量子阱结构包括至少一组氮化镓量子垒和铟镓氮量子阱，每组氮化镓量子垒和铟镓氮量子阱之间包括至少一层铝镓氮插入层。本发明通过采用铝镓氮插入层设置在量子阱结构的氮化镓量子垒与铟镓氮量子阱之间，不仅有助于获得氮化镓量子垒上的原子级平整的表面，提高界面陡峭度、消除V形缺陷，并可减小器件漏电、提高发光均匀性，还有助于平衡铟镓氮量子阱生长过程中积累的应力，减少因应变能积累导致的量子阱材料的位错，因此有利于提升材料成型的质量。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓 量子垒 铟镓氮 铝镓氮插入层 量子阱结构 量子阱 发光器件 半导体发光器件 氮化镓基半导体 发光均匀性 量子阱材料 量子阱生长 漏电 材料成型 插入层 陡峭度 应变能 原子级 减小 位错 积累 制作 平整 平衡 | ||
【主权项】：
1.一种具有AlGaN插入层的GaN基半导体发光器件，包括量子阱结构(10)，其特征在于，所述量子阱结构(10)包括至少一组氮化镓量子垒(11)和铟镓氮量子阱(12)，每组氮化镓量子垒(11)和铟镓氮量子阱(12)之间包括至少一层铝镓氮插入层(13)。
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