[发明专利]氮化镓晶体生长装置及其生长方法在审
| 申请号： | 201910620554.4 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110195258A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 乔焜;高明哲;林岳明 | 申请（专利权）人： | 上海玺唐半导体科技有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B7/10 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;张会华 |
| 地址： | 201613 上海*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种氮化镓晶体生长装置及其生长方法。该氮化镓晶体生长装置包括反应容器，所述反应容器内设置原料区和结晶区，所述原料区和所述结晶区中的至少一者的数量为至少两个，所述原料区和所述结晶区在所述反应容器的轴向上交替分布。本发明的氮化镓晶体生长装置能够提高氮化镓晶体的生长速度和结晶质量，同时能够减少原料的损失。 | ||
| 搜索关键词： | 氮化镓晶体 生长装置 结晶区 原料区 生长 交替分布 | ||
【主权项】：
1.一种氮化镓晶体生长装置，其特征在于，所述氮化镓晶体生长装置包括反应容器(1，10)，所述反应容器(1，10)内设置原料区(2，20)和结晶区(3，30)，所述原料区(2，20)和所述结晶区(3，30)中的至少一者的数量为至少两个，所述原料区(2，20)和所述结晶区(3，30)在所述反应容器(1，10)的轴向上交替分布。
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