[发明专利]功率金属氧化物半导体晶体管的模拟模型在审
| 申请号： | 201910620557.8 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN112287506A | 公开（公告）日： | 2021-01-29 |
| 发明（设计）人： | 冷中明;王暐纶 | 申请（专利权）人： | 尼克森微电子股份有限公司 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20;G06F30/36 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型，用以对功率金属氧化物半导体场效晶体管的多个参数进行测量，以分别产生对应的多个模拟结果，功率金属氧化物半导体场效晶体管的模拟模型包括第一压控电压源、第一查表电流源、晶体管子电路及崩溃电压模块。其中，第一压控电压源响应于温度变化，以第一子电路模拟栅极节点上的栅极电荷行为。第一查表电流源用以依据第二子电路的查表电流值，模拟栅极漏极间电容所产生的等效电流值。晶体管子电路用于模拟导电电压于小电流区间及大电流区间中的行为。崩溃电压模块依据第一子电路的电压值，模拟漏极节点及源极节点之间的崩溃电压效应。 | ||
| 搜索关键词： | 功率 金属 氧化物 半导体 晶体管 模拟 模型 | ||
【主权项】：
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