[发明专利]一种空气桥的制作方法以及空气桥在审
| 申请号： | 201910620973.8 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN110323128A | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 钟晓伟;袁松;程海英 | 申请（专利权）人： | 芜湖启迪半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/027 | 分类号： | H01L21/027 |
| 代理公司： | 芜湖安汇知识产权代理有限公司 34107 | 代理人： | 朱圣荣 |
| 地址： | 241000 安徽省芜湖市弋江*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明揭示了一种空气桥的制作方法，包括以下步骤：步骤1、在基片和电极上制作一层氧化物牺牲层；步骤2、在牺牲层上制作第一层光刻胶，之后对第一层光刻胶光刻，保留“桥体”区域光刻胶，去除“桥墩”区域光刻胶；步骤3、去除“桥墩”区域牺牲层，去除“桥体”区域光刻胶；步骤4、制作桥面金属种层；步骤5、在金属种层上制作第二层光刻胶，之后对第二层光刻胶光刻，去除“桥体”区域和电极上方的光刻胶；步骤6、在金属种层上制作金属加厚层，再去除第二层光刻胶；步骤7、去除金属加厚层下方的金属种层和牺牲层，形成空气桥。这样的制作方法不仅制作空气桥更加可靠，也能提高器件本身可靠性。 | ||
| 搜索关键词： | 光刻胶 去除 制作 金属种层 空气桥 牺牲层 金属加厚层 光刻胶光 第一层 电极 桥墩 氧化物牺牲层 桥面 保留 | ||
【主权项】：
1.一种空气桥的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1、在基片和电极上制作一层牺牲层；步骤2、在牺牲层上制作第一层光刻胶，之后对第一层光刻胶光刻，保留“桥体”区域光刻胶，去除“桥墩”区域光刻胶；步骤3、去除“桥墩”区域牺牲层，去除“桥体”区域光刻胶；步骤4、制作桥面金属种层；步骤5、在金属种层上制作第二层光刻胶，之后对第二层光刻胶光刻，去除“桥体”区域和电极上方的光刻胶；步骤6、在金属种层上制作金属加厚层，再去除第二层光刻胶；步骤7、去除金属加厚层下方的金属种层和牺牲层，形成空气桥。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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