[发明专利]一种硅晶圆结构及其制造方法在审

专利信息
申请号: 201910622606.1 申请日: 2019-07-11
公开(公告)号: CN112216737A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 徐建卫;徐艳;汪鹏 申请(专利权)人: 上海矽安光电科技有限公司
主分类号: H01L29/06 分类号: H01L29/06;H01L21/306;H01L21/308;B81C1/00
代理公司: 上海百一领御专利代理事务所(普通合伙) 31243 代理人: 王奎宇;杨孟娟
地址: 200233 上海市徐汇*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 本申请公开了一种硅晶圆结构及其制造方法,硅晶圆结构包括:硅晶圆主体,在硅晶圆主体上设有第一槽和第二槽,硅晶圆主体还形成有第一尖角或第二尖角,其中,第一尖角或第二尖角设置在第一槽和第二槽的连接处。制造方法,包括:采用薄膜在硅晶圆主体的表面做掩膜;在硅晶圆主体的背面腐蚀出第一槽;在硅晶圆主体的背面以及第一槽的表面蒸镀薄膜;在上述结构的正面进行掩膜图形化工艺形成图形化掩膜层,并进行二次腐蚀并腐蚀出第二槽;腐蚀完成后,采用可腐蚀掉上述蒸镀薄膜的腐蚀液去除该蒸镀薄膜。本申请中硅晶圆主体的背面用抗腐蚀的薄膜保护,使正面腐蚀时可以停止在薄膜上,夹角处被保护,可以有效地避免尖角被腐蚀液迅速腐蚀。
搜索关键词: 一种 硅晶圆 结构 及其 制造 方法
【主权项】:
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