[发明专利]一种用于全控H桥拓扑结构的新型主动温度控制策略

摘要

全控H桥拓扑结构的主动温度控制策略，属于电力电子领域，本发明为了解决现有电力电子变换器功率开关器件温度控制策略所存在的影响系统性能和局限于被动散热的问题，公开了一种用于全控H桥拓扑结构的新型主动温度控制策略，包括全控H桥拓扑结构、主动温度控制器以及PWM信号发生器。通过检测每个全控型开关管的温度与设定阈值温度的动态关系，为各全控型开关管配置不同的驱动信号，控制变换器在H桥和无桥模式间切换运行，从而实现通过降低特定全控型开关管损耗的方式对开关管的温度进行主动控制。在主动温度控制策略实施期间，全控H桥拓扑能够继续正常运行，为传统被动式散热方式增加了主动性，并解决了现有方法会降低性能的问题。

主权项

1.用于全控H桥拓扑结构的新型主动温度控制策略，其特征在于，新型主动温度控制系统包括全控H桥拓扑结构、主动温度控制器和PWM信号发生器；所述全控H桥拓扑结构端口电压为u_s，电路元件包括第一全控型开关管S₁、第二全控型开关管S₂、第三全控型开关管S₃、第四全控型开关管S₄，以及与相应全控型开关管对应的第一二极管D₁、第二二极管D₂、第三二极管D₃、第四二极管D₄；所述主动温度控制器，其特征在于，由PID控制器、温度检测模块组成；所述温度检测模块，其特征在于，每个全控型开关管上安装一个温度传感器，用于检测所述各个全控型开关管的壳温信息；所述PWM信号发生器，其特征在于，用于产生所述全控型开关管的驱动信号。