[发明专利]半导体器件和电子控制装置在审
| 申请号： | 201910623313.5 | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110739955A | 公开（公告）日： | 2020-01-31 |
| 发明（设计）人： | 相马治 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H03K19/003 | 分类号： | H03K19/003;H03K19/094;H03K19/0944 |
| 代理公司： | 11256 北京市金杜律师事务所 | 代理人： | 李辉;郭星 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本公开涉及半导体器件和电子控制装置。提供了一种能够切断从负载到电源的反向电流的半导体器件和电子控制装置。功率晶体管QN1被提供在正电源端子Pi2(+)与负载驱动端子Po2(+)之间，并且具有耦合到正电源端子Pi2(+)的源极和背栅。功率晶体管QN2与功率晶体管QN1被串联提供，并且功率晶体管QN2的源极和背栅耦合到负载驱动端子Po2(+)。升压器CP1a对功率晶体管QN1的栅极充电。当负电源端子Pi2(‑)的电位高于正电源端子Pi2(+)的电位时，栅极放电电路DCG1a将功率晶体管QN1的栅极电荷放电到源极。 | ||
| 搜索关键词： | 功率晶体管 正电源端子 源极 电位 电子控制装置 半导体器件 负载驱动 耦合到 背栅 负电源端子 反向电流 放电电路 栅极电荷 升压器 放电 充电 串联 电源 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n正电源端子和负电源端子，被耦合到电源；以及/n负载驱动端子，被耦合到负载；/n其中第一功率晶体管的源极和背栅被耦合到所述正电源端子侧，并且所述第一功率晶体管的漏极被耦合到所述负载驱动端子侧；以及/n其中第二功率晶体管的源极和背栅被耦合到所述负载驱动端子，并且所述第二功率晶体管的漏极被耦合到所述正电源端子；以及/n第一升压电路，用于对所述第一功率晶体管的栅极充电；以及/n第一栅极放电电路，用于当所述负电源端子的电位高于所述正电源端子的电位时，将所述第一功率晶体管的栅极电位放电到所述源极。/n
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