[发明专利]具有半导体器件的电子电路的异质结构在审
| 申请号： | 201910626636.X | 申请日： | 2019-07-11 |
| 公开（公告）号： | CN110718589A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 斯特范·施穆尔特;安德诺·瓦霍维亚克;亚历山大·鲁夫 | 申请（专利权）人： | 纳姆实验有限责任公司;德累斯顿工业技术大学 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/778;H01L29/20;H01L29/22 |
| 代理公司： | 11240 北京康信知识产权代理有限责任公司 | 代理人： | 李海霞 |
| 地址： | 德国德*** | 国省代码： | 德国;DE |
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| 摘要： | 根据所提出的目的，本发明由一种电子电路构成，其具有半导体器件，该半导体器件包含异质结构，并且该异质结构包含具有化合物半导体的第一层，具有化合物半导体的第二层邻接于第一层，以便构成用于二维电子气(2DEG)的沟道，使得其中二维电子气不存在。因此，本发明特别涉及一种电子电路，其具有半导体器件，该半导体器件包含III‑V异质结构并且III‑V异质结构包含第一层，该第一层包含GaN并且邻接于第二层，以便构成用于二维电子气(2DEG)的沟道，并且第一层的纯度使得二维电子气不存在。因此，对于前述电子电路来说有利的是，该电子电路被如下地封闭，即：运行中波长小于400nm的光不能到达III‑V异质结构并且该波长能够生成自由载流子。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结构 第一层 半导体器件 二维电子气 电子电路 化合物半导体 邻接 波长 沟道 自由载流子 封闭 | ||
【主权项】：
1.一种电子电路，具有半导体器件，所述半导体器件包含异质结构，并且所述异质结构包含一个层，所述层包含化合物半导体并且邻接于第二层，以便构成用于二维电子气的沟道，使得所述二维电子气不存在。/n
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