[发明专利]一种带温度补偿的电流偏置电路有效

专利信息
申请号: 201910627056.2 申请日: 2019-07-12
公开(公告)号: CN110275563B 公开(公告)日: 2023-09-29
发明(设计)人: 谭在超;张胜;罗寅;丁国华 申请(专利权)人: 苏州锴威特半导体股份有限公司
主分类号: G05F1/567 分类号: G05F1/567
代理公司: 南京众联专利代理有限公司 32206 代理人: 叶倩
地址: 215600 江苏省苏州市张家港*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明涉及一种带温度补偿的电流偏置电路,包括第一至第三MOS管、第一至第二三极管、第一电阻和温度补偿电路,温度补偿电路由第四至第五MOS管、第三至第六三极管和第二至第五电阻组成,温度补偿电路的输入端接电源VCC,输出端分别接第三MOS管、第二三极管和地,第一和第二三极管的个数比为1:n,第一至第三MOS管均采用PMOS管,第四至第五MOS管均采用NMOS管,第一、第二、第四至第六三极管均采用NPN型三极管,第三三极管采用PNP型三极管。该电路的温度特性调整或优化极为方便,可通过调节同一种类的第二至第五电阻的比例来实现电路的零温特性,从而大大提升生产工艺的一致性,提升产品良率。
搜索关键词: 一种 温度 补偿 电流 偏置 电路
【主权项】:
1.一种带温度补偿的电流偏置电路,其特征在于:包括第一至第三MOS管、第一至第二三极管、第一电阻和温度补偿电路,温度补偿电路包括第四至第五MOS管、第三至第六三极管、第二至第五电阻,第一至第三MOS管的源极均连接电源VCC,第一至第三MOS管的栅极共联,第一MOS管的栅极连接其漏极,第一MOS管的漏极连接第一三极管的集电极,第一至第二三极管的基极共联,第一三极管的发射极串联电阻R1后接地,第二MOS管的漏极连接第二三极管的集电极,第二三极管的集电极连接第二三极管的基极,第二三极管的发射极连接第三三极管的发射极,第三三极管的集电极接地,第三MOS管的漏极连接第四MOS管的漏极,第四至第五MOS管的栅极共联,第四MOS管的漏极连接第四MOS管的栅极,第四至第五MOS管的源极接地,第五MOS管的漏极连接第三三极管的基极,第五和第六三极管的集电极连接电源VCC,第二电阻和第三电阻串联后第二电阻的一端接电源VCC,第三电阻的一端连接第四三极管的集电极,第四电阻和第五电阻串联后第四电阻的一端接第五三极管的发射极,第五电阻的一端接第四三极管的集电极,第四三极管的基极连接其集电极,第四三极管的发射极接地,第五三极管的基极连接在第二电阻和第三电阻之间,第六三极管的基极连接在第四电阻和第五电阻之间,第六三极管的发射极连接第五MOS管的漏极。
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