[发明专利]半导体结构及其形成方法在审
| 申请号： | 201910627198.9 | 申请日： | 2019-07-10 |
| 公开（公告）号： | CN112216606A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 毕晓峰;纪世良;张海洋 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/308 | 分类号： | H01L21/308;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 徐文欣 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供待刻蚀层，所述待刻蚀层表面具有衬垫层；在所述衬垫层的表面形成若干相互分立的第一掩膜结构；以所述第一掩膜结构为掩膜，刻蚀所述待刻蚀层和所述衬垫层，在所述待刻蚀层内形成凹槽，并使所述第一掩膜结构形成第一初始待去除层；对所述第一初始待去除层进行改性处理工艺，形成第一待去除层；刻蚀去除所述衬垫层和所述第一待去除层。所述方法形成的半导体结构的性能较好。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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