[发明专利]一种高点蚀电位的氧化亚钴纳米粒子掺杂的松香基热聚合防腐膜的制备方法有效
申请号: | 201910627320.2 | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN110305249B | 公开(公告)日: | 2021-06-18 |
发明(设计)人: | 余会成;石展望;李浩;韦冬萍;韦贻春;雷福厚 | 申请(专利权)人: | 广西民族大学 |
主分类号: | C08F220/56 | 分类号: | C08F220/56;C08F220/70;C08F2/44;C08K3/22 |
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地址: | 530006 广西壮族*** | 国省代码: | 广西;45 |
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摘要: | 本发明公开了一种高点蚀电位的氧化亚钴纳米粒子掺杂的松香基热聚合防腐膜的制备方法,以丙烯酰胺为单体、偶氮二异丁腈为引发剂、氧化亚钴纳米粒子为掺杂剂、丙烯海松酸(乙二胺)酰胺为交联剂,通过热聚合方法制备了一种高点蚀电位的氧化亚钴纳米粒子掺杂的松香基热聚合防腐膜,该膜层具有较高的点蚀电位,耐点腐蚀性能良好、简单实用,克服了以往防腐膜层腐蚀电位低的缺点。该膜层可应用于空调、电热水器、空调、冰箱等电气设备及拖拉机、起重机等机械设备的金属零部件的防腐工程。 | ||
搜索关键词: | 一种 高点 电位 氧化 纳米 粒子 掺杂 松香 热聚合 防腐 制备 方法 | ||
【主权项】:
1.一种高点蚀电位的氧化亚钴纳米粒子掺杂的松香基热聚合防腐膜的制备方法,其特征在于以0.0 1 mol/L~0.50 mol/L的丙烯酰胺为单体、0. 001 mol /L~0.01 mol/mL的偶氮二异丁腈为引发剂、0.002 mol/L ~0.008 mol/L的氧化亚钴纳米粒子为掺杂剂、0. 01mol /L~0.50 mol/L丙烯海松酸(乙二胺)酰胺为交联剂,混匀后,将金属部件浸入其混合溶液中10分钟,再取出部件加热聚合,即得;具体按以下操作进行:<1> 0.01克氯化钴(Ⅱ)、1克丙三醇、100克蒸馏水加入到烧杯中,搅拌10分钟,待氯化钴(Ⅱ)溶解后,慢慢滴入浓度为0.01克/氢氧化钠10毫升并剧烈搅拌30分钟,然后转入200毫升的内衬聚四氟乙烯的不锈钢的高压反应釜中,在摄氏温度150的条件下反应1小时,然后离心收集沉淀,并用去离子水及乙醇洗涤三次,并在摄氏温度300的条件下烘干1小时即得氧化亚钴纳米粒子;<2> 向1 L溶剂乙醇中,依次加入0.0 1 mol~0.50 mol的单体丙烯酰胺、0. 001 mol ~0.01 mol的引发剂偶氮二异丁腈、步骤<1>制备的0.002 mol ~0.008 mol氧化亚钴纳米粒子为掺杂剂、0. 01mol ~0.50 mol的交联剂丙烯海松酸(乙二胺)酰胺,每加入一种化学试剂超声波溶解2分钟;<3> 将干净光滑的金属部件浸入步骤<2>的混合物中10分钟,再取出部件置于80 ℃的真空干燥箱内热聚合 1.5小时即得。
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