[发明专利]一种晶圆减薄工艺和装置在审
| 申请号： | 201910627743.4 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110625205A | 公开（公告）日： | 2019-12-31 |
| 发明（设计）人： | 赵永华;关均铭 | 申请（专利权）人： | 南方科技大学 |
| 主分类号： | B23H1/00 | 分类号： | B23H1/00;B23H11/00;H01L21/02 |
| 代理公司： | 44205 广州嘉权专利商标事务所有限公司 | 代理人： | 张建珍 |
| 地址： | 518055 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及晶圆厚度减薄技术领域，公开了一种晶圆减薄工艺和装置，晶圆减薄工艺以电火花工艺为基础，晶圆减薄装置包括电源，电源至少包括第一极与第二极，第一极用于与待加工的晶圆电连接，第二极连接加工工具，所述加工工具与所述晶圆之间具有间隙，所述电源能在所述晶圆与所述加工工具之间产生击穿所述间隙内介质的电压。本发明运用电火花加工的原理，以晶圆作为电极材料，依靠放电产生的能量去除材料，因此不受材料硬度限制，解决了传统机械磨削对第三代半导体等超硬材料进行加工难的问题，且该手段属于非接触型加工，不存在接触作用力，也不会产生残余应力，整个工艺过程中不会产生环境污染物，且成本适中。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 加工工具 电源 第一极 减薄 电火花 加工 电火花加工 环境污染物 材料硬度 残余应力 超硬材料 传统机械 电极材料 非接触型 工艺过程 厚度减薄 减薄装置 能量去除 第三代 电连接 内介质 放电 击穿 磨削 种晶 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种晶圆减薄工艺，其特征在于，包括以下步骤：/n设置电源，所述电源包括第一极与第二极；/n将待加工的晶圆与所述第一极电连接，将加工工具与所述第二极电连接，并使得所述晶圆与所述加工工具间形成间隙；/n启动所述电源，当所述晶圆与所述加工工具之间的电压不小于所述间隙内介质的击穿电压时，对所述晶圆上朝向所述间隙的表面被烧蚀。/n
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