[发明专利]半导体器件

摘要

提供了半导体器件。半导体器件可以包括位于基底上的第一有源图案和第二有源图案。第一有源图案和第二有源图案中的每个可以在第一方向上延伸。第一有源图案和第二有源图案可以分别沿第一方向对齐并且可以分别通过在第二方向上延伸的第一沟槽分离。第一沟槽可以限定第一有源图案的第一侧壁。半导体器件还可以包括：沟道图案，包括堆叠在第一有源图案上的第一半导体图案和第二半导体图案；虚设栅电极，位于沟道图案上并且在第二方向上延伸；以及栅极间隔件，位于虚设栅电极的一侧上，虚设栅电极的所述一侧与第一沟槽相邻。栅极间隔件可以覆盖第一有源图案的第一侧壁。

主权项

1.一种半导体器件，所述半导体器件包括：/n第一有源图案和第二有源图案，位于基底上，其中，第一有源图案和第二有源图案中的每个在第一方向上延伸，第一有源图案和第二有源图案分别沿第一方向对齐并且分别通过在与第一方向交叉的第二方向上延伸的第一沟槽分离，其中，第一沟槽限定第一有源图案的第一侧壁；/n沟道图案，包括顺序堆叠在第一有源图案上的第一半导体图案和第二半导体图案；/n虚设栅电极，跨过沟道图案并且在第二方向上延伸；以及/n栅极间隔件，位于虚设栅电极的一侧上，虚设栅电极的所述一侧与第一沟槽相邻，/n其中，栅极间隔件覆盖第一有源图案的第一侧壁。/n