[发明专利]半导体发光装置在审
申请号: | 201910628665.X | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN111009601A | 公开(公告)日: | 2020-04-14 |
发明(设计)人: | 李东建;金柱成;徐钟旭;卓泳助 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
主分类号: | H01L33/24 | 分类号: | H01L33/24;H01L33/08;H01L33/32;H01L33/00 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 赵南;张帆 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 半导体发光装置包括第一半导体层,其在衬底上并具有第一导电类型;有源层,其在第一半导体层上;第二半导体层,其在有源层上并具有第二导电类型,第二半导体层掺杂有镁,并且具有基本平行于衬底的上表面的上表面以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面;以及第三半导体层,其在第二半导体层上并具有第二导电类型,第三半导体层掺杂有不同于第二半导体层的镁浓度的镁浓度,并且第三半导体层具有基本平行于衬底的上表面的上表面,以及相对于衬底的上表面倾斜的侧表面。 | ||
搜索关键词: | 半导体 发光 装置 | ||
【主权项】:
暂无信息
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