[发明专利]纳米晶钕铁硼磁体及其制备方法在审
| 申请号： | 201910629057.0 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN112216460A | 公开（公告）日： | 2021-01-12 |
| 发明（设计）人： | 董强;夏贤爽;张澜庭;刘梅 | 申请（专利权）人： | 株式会社日立制作所;上海交通大学 |
| 主分类号： | H01F1/057 | 分类号： | H01F1/057;H01F41/02;B22F3/14 |
| 代理公司： | 上海华诚知识产权代理有限公司 31300 | 代理人： | 肖华 |
| 地址： | 日本国东京都千*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种纳米晶钕铁硼磁体及其制备方法，其中，制备方法包括如下步骤：提供主相合金粉体，所述主相合金粉体按原子百分比组成为R |
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| 搜索关键词： | 纳米 晶钕铁硼 磁体 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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