[发明专利]基板处理方法以及基板处理装置有效
申请号: | 201910630061.9 | 申请日: | 2014-09-02 |
公开(公告)号: | CN110190016B | 公开(公告)日: | 2022-10-21 |
发明(设计)人: | 根来世;村元僚;永井泰彦;大须贺勤;岩田敬次 | 申请(专利权)人: | 斯克林集团公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;C11D3/00;C11D11/00 |
代理公司: | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人: | 向勇;宋晓宝 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明提供一种基板处理方法以及基板处理装置。基板处理方法包括:SPM供给工序,将高温的SPM供给到基板的上表面;DIW供给工序,在SPM供给工序之后,通过将室温的DIW供给到基板的上表面,来冲洗残留在基板上的液体;双氧水供给工序,在SPM供给工序后且在DIW供给工序前,在SPM残留在基板上的状态下,将液温比SPM的温度低且在室温以上的双氧水供给到基板的上表面。 | ||
搜索关键词: | 处理 方法 以及 装置 | ||
【主权项】:
1.一种基板处理方法,其特征在于,包括:药液供给工序,将第1温度的药液供给到基板的主面,冲洗液供给工序,在所述药液供给工序之后,通过将比所述第1温度低的第2温度的冲洗液供给到所述基板的所述主面,来冲洗残留在所述基板上的液体,反应液供给工序,在所述药液供给工序后且在所述冲洗液供给工序前,在所述药液供给工序中供给到所述基板的所述药液残留在所述基板上的状态下,将液温比所述第1温度低且在所述第2温度以上的反应液供给到所述基板的所述主面,该反应液能够通过与所述药液混合发生发热反应,加热工序,与所述药液供给工序并行,通过配置于所述基板的上方的加热器,以比所述第1温度高的加热温度对保持于所述基板的所述药液进行加热,以及后加热工序,与所述反应液供给工序并行,通过配置于所述基板的上方的所述加热器,以比所述加热温度低的后加热温度对保持于所述基板的所述液体进行加热。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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