[发明专利]半导体器件在审
| 申请号： | 201910630460.5 | 申请日： | 2019-07-12 |
| 公开（公告）号： | CN110718590A | 公开（公告）日： | 2020-01-21 |
| 发明（设计）人： | 李峭蒑;金锡勋;李相吉;赵南奎;崔珉姬;李承勋 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/423;H01L29/06 |
| 代理公司： | 11112 北京天昊联合知识产权代理有限公司 | 代理人： | 赵南;张青 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种半导体器件，包括：鳍式有源区，其在衬底上沿着与衬底的上表面平行的第一方向延伸；和源极/漏极区，其在延伸到鳍式有源区内的凹陷区内，其中，源极/漏极区包括：第一源极/漏极材料层；在第一源极/漏极材料层上的第二源极/漏极材料层；和在第一源极/漏极材料层和第二源极/漏极材料层之间的界面上的第一掺杂物扩散阻挡层。 | ||
| 搜索关键词： | 源极/漏极 材料层 源极/漏极区 衬底 半导体器件 掺杂物扩散 鳍式有源区 方向延伸 上表面 阻挡层 凹陷 鳍式 平行 延伸 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：/n鳍式有源区，其在衬底上沿着与所述衬底的上表面平行的第一方向延伸；和/n源极/漏极区，其在延伸到所述鳍式有源区内的凹陷区内，/n其中，所述源极/漏极区包括：/n第一源极/漏极材料层；/n在所述第一源极/漏极材料层上的第二源极/漏极材料层；和/n在所述第一源极/漏极材料层和所述第二源极/漏极材料层之间的界面上的第一掺杂物扩散阻挡层。/n
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