[发明专利]光罩结构、阴极膜层的形成方法及阵列基板上的阴极膜层在审

专利信息
申请号: 201910631244.2 申请日: 2019-07-12
公开(公告)号: CN112216805A 公开(公告)日: 2021-01-12
发明(设计)人: 孙伯彰;李旺 申请(专利权)人: 陕西坤同半导体科技有限公司
主分类号: H01L51/52 分类号: H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32
代理公司: 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 代理人: 郑裕涵
地址: 712046 陕西省咸阳市秦*** 国省代码: 陕西;61
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摘要: 发明涉及一种光罩结构、阴极膜层的形成方法及阵列基板上的阴极膜层。该光罩结构包括:第一光罩本体,具有多个第一开孔,多个第一开孔是与多列像素定义层开口间隔对应设置的,各个第一开孔的侧边还间隔设置有多个向外凸起的第三开孔,当多个第一开孔与多列像素定义层开口对应设置时,多个第三开孔位于相邻二列像素定义层开口之间;以及第二光罩本体,具有多个第二开孔,多个第二开孔是与多列像素定义层开口间隔对应设置的,并与多个第一开孔是对应于不同列像素定义层开口。本发明通过将阴极膜层图案化覆盖像素定义层(PDL)开孔区域,通过部分非像素定义层(PDL)开口区裸露,提高嵌板(panel)整体透过率,有利于实现透明显示。
搜索关键词: 结构 阴极 形成 方法 阵列 基板上
【主权项】:
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