[发明专利]光罩结构、阴极膜层的形成方法及阵列基板上的阴极膜层在审
申请号: | 201910631244.2 | 申请日: | 2019-07-12 |
公开(公告)号: | CN112216805A | 公开(公告)日: | 2021-01-12 |
发明(设计)人: | 孙伯彰;李旺 | 申请(专利权)人: | 陕西坤同半导体科技有限公司 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L27/32 |
代理公司: | 北京国昊天诚知识产权代理有限公司 11315 | 代理人: | 郑裕涵 |
地址: | 712046 陕西省咸阳市秦*** | 国省代码: | 陕西;61 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种光罩结构、阴极膜层的形成方法及阵列基板上的阴极膜层。该光罩结构包括:第一光罩本体,具有多个第一开孔,多个第一开孔是与多列像素定义层开口间隔对应设置的,各个第一开孔的侧边还间隔设置有多个向外凸起的第三开孔,当多个第一开孔与多列像素定义层开口对应设置时,多个第三开孔位于相邻二列像素定义层开口之间;以及第二光罩本体,具有多个第二开孔,多个第二开孔是与多列像素定义层开口间隔对应设置的,并与多个第一开孔是对应于不同列像素定义层开口。本发明通过将阴极膜层图案化覆盖像素定义层(PDL)开孔区域,通过部分非像素定义层(PDL)开口区裸露,提高嵌板(panel)整体透过率,有利于实现透明显示。 | ||
搜索关键词: | 结构 阴极 形成 方法 阵列 基板上 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于陕西坤同半导体科技有限公司,未经陕西坤同半导体科技有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910631244.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种锂离子电池自动测厚装置
- 下一篇:一体式聚丙烯酰胺凝胶电泳装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择