[发明专利]一种低温等离子体制备微介孔XAD-2的方法有效

专利信息
申请号: 201910631360.4 申请日: 2019-07-12
公开(公告)号: CN110339824B 公开(公告)日: 2020-08-14
发明(设计)人: 杨德正;徐庆南;王红丽;袁皓;乔俊杰;李瑶;周雄峰;梁建平 申请(专利权)人: 大连理工大学
主分类号: B01J20/26 分类号: B01J20/26;B01J20/28;B01J20/30;B01D53/02
代理公司: 大连理工大学专利中心 21200 代理人: 隋秀文;温福雪
地址: 116024 辽*** 国省代码: 辽宁;21
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摘要: 发明公开了一种低温等离子体制备微介孔XAD‑2的方法,属于半挥发性有机气体处理技术领域。本发明通过高压纳秒双极性窄脉冲等离子体触发电源驱动填充床放电产生低温等离子体对XAD‑2进行改性,制备出含有大量微介孔的XAD‑2,增加了XAD‑2的比表面,使PAHs类污染物与XAD‑2吸附力增强,有效改善PAHs的分散性;同时还新增加了XAD‑2表面的酸性含氧基团,提高了XAD‑2的表面化学吸附活性,显著提高其对低浓度萘的吸附性能。本发明操作方便,成本低,可制成XAD‑2吸附管等采样产品推广应用。
搜索关键词: 一种 低温 等离子体 制备 微介孔 xad 方法
【主权项】:
1.一种低温等离子体制备微介孔XAD‑2的方法,其特征在于,包括以下步骤:1)将原料XAD‑2浸泡在有机溶液中,在超声波振荡器中振荡,去除XAD‑2内部及表面杂质并使XAD‑2恢复湿态,得到XAD‑2样品;2)将步骤1)处理后的XAD‑2样品使用去离子水洗涤至呈中性,然后置于真空干燥箱中进行真空干燥,得到预处理的XAD‑2;3)将步骤2)预处理后的XAD‑2置于填充床内,通过控制高压纳秒双极性窄脉冲等离子体触发电源的电压、放电频率、脉宽和上升沿时间进行放电驱动填充床产生低温等离子体对XAD‑2进行改性,改性时间为2‑25min,得到微介孔XAD‑2;所述的有机溶液为乙醇、丙酮或甲醇中的一种或两种以上混合;所述的超声波振荡器的振荡频率20‑40kHz,每次振荡时间20‑30min,振荡次数为3‑5次;所述的真空干燥箱的温度控制在80‑120℃,时间控制在12‑24h;所述的填充床,是将陶瓷片作为介质板覆盖在聚四氟乙烯材质的长方形槽体上形成;所述的高压纳秒双极性窄脉冲等离子体触发电源的参数如下:脉宽为60‑80ns、上升沿时间为10‑20ns的,放电频率为120‑200Hz,电压为20‑30kV。
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