[发明专利]一种基于模型的OPC修正方法在审
申请号: | 201910633249.9 | 申请日: | 2019-07-15 |
公开(公告)号: | CN110471251A | 公开(公告)日: | 2019-11-19 |
发明(设计)人: | 高迎晖 | 申请(专利权)人: | 苏州悦谱半导体有限公司 |
主分类号: | G03F1/36 | 分类号: | G03F1/36 |
代理公司: | 32234 苏州广正知识产权代理有限公司 | 代理人: | 朱春红<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
地址: | 215000 江苏省苏州市工业园区*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了一种基于模型的OPC修正方法,利用粒子群算法去优化求解一个局部区域内所有线段的最佳法向修正值,包括以下具体步骤:步骤1:半导体电路设计原始数据;步骤2:多边形依据边分段;步骤3:取出一个多边形相邻的线段;步骤4:计算各个线段的目标光强点;步骤5:随机初始化每个线段法向位移值作为一个解;步骤6:进行迭代;步骤7:得出判定值;步骤8:如果结果满意,结束迭代,否则,继续进行迭代。通过上述方式,本发明改变局部点的计算模型和多个点进行修正,在同样环境建立的光学模型下,能和国外主流软件修正结果基本一致,误差在2nm以内,达到了精度高和快速高效的效果。 | ||
搜索关键词: | 线段 迭代 法向 设计原始数据 半导体电路 粒子群算法 随机初始化 光学模型 环境建立 计算模型 局部区域 软件修正 优化求解 光强 分段 判定 取出 修正 主流 | ||
【主权项】:
1.一种基于模型的OPC修正方法,其特征在于,使用OPC修正软件,包括以下具体步骤:/n步骤1:读取光刻掩模gds文件,得到文件中所有polygon图形及其位置关系,对polygon图形进行唯一性识别编号;/n步骤2:然后对每一个polygon图形进行分段,分成一个一个的线段,并对这些线段进行其所属polygon内的唯一性识别编号,此分段步骤有多种分段规则;/n步骤3:确定每个线段的光强计算位置,即target点,此target点为线段的中心位置,同时用户根据实际情况修改,比如将其左移或右移一定的距离;/n步骤4:根据光刻模型计算target点的光强值,然后将此线段往其法线方向向外移动一定的距离,并计算新位置的target点光强值,根据模型规则确定移动的方向是否正确,并往对的方向继续移动线段和计算光强值,直到所移动位置的光强值与模型要求光强值的误差在小于用户输入的允许误差时,此位置即为此次循环图形线段的新位置;/n步骤5:进入下一段线段图形的新位置确定,直到完成所有线段的此次循环的新位置确定;/n步骤6:确定完所有线段图形的新位置后,因图形及其周围图形有变动,会带来新的光强值和新的最优位置,所以开始新的线段位置确定的循环,此循环次数为4次,用户可根据实际情况修改此次数;/n步骤7:经过一定次数的循环后,得到最终的修正后的光掩模图形。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州悦谱半导体有限公司,未经苏州悦谱半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910633249.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:现场全息显示系统
- 下一篇:反向曝光辅助图形添加方法及其添加系统
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备