[发明专利]MEMS传感器元件和对应的传感器、芯片以及其制造方法在审
申请号: | 201910633558.6 | 申请日: | 2019-07-09 |
公开(公告)号: | CN110697647A | 公开(公告)日: | 2020-01-17 |
发明(设计)人: | J·莱茵穆特;P·施莫尔格鲁贝尔 | 申请(专利权)人: | 罗伯特·博世有限公司 |
主分类号: | B81B7/00 | 分类号: | B81B7/00;B81B7/02;B81C1/00 |
代理公司: | 72002 永新专利商标代理有限公司 | 代理人: | 侯鸣慧 |
地址: | 德国斯*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | 本发明涉及一种MEMS传感器元件,其具有可偏移地布置的膜片,所述MEMS传感器元件包括衬底;载体结构,所述载体结构用于所述可偏移地布置的膜片,其中,所述载体结构与所述衬底至少在一个区域中连接,其中,所述膜片部分地与所述载体结构连接,其中,在所述载体结构与所述膜片之间形成封闭的空间;和电极结构,其与所述载体结构和所述膜片间隔开地布置在所述封闭的空间中。 | ||
搜索关键词: | 体结构 膜片 可偏移 衬底 电极结构 载体结构 封闭 | ||
【主权项】:
1.一种MEMS传感器元件(1b),所述MEMS传感器元件具有可偏移地布置的膜片(4),所述MEMS传感器元件包括/n-衬底(2);/n-用于所述可偏移地布置的膜片(4)的载体结构(9),其中,所述载体结构(9)与所述衬底(2)至少在一个区域(80')中连接,其中,所述膜片(4)部分地与所述载体结构(9)连接,其中,在所述载体结构(9)与所述膜片(4)之间形成封闭的空间(40);和/n-电极结构(6),所述电极结构在所述封闭的空间(40)中与载体结构(9)和膜片(4)间隔开地布置。/n
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