[发明专利]一种原子层沉积设备

摘要

本发明公开一种原子层沉积设备。本发明提供的原子层沉积设备包括：真空反应室、载气瓶、载气管路、前驱体源瓶和前驱体管路。其中，真空反应室包括沉积室和真空室，沉积室设于真空室的腔体内，且沉积室与真空室可拆卸连接。载气瓶通过载气管路与沉积室连通，前驱体源瓶通过前驱体管路与沉积室连通。沉积室通过其内腔真空抽气口与抽真空设备连接，真空室通过其外腔真空抽气口与抽真空设备连接。本发明提供的原子层沉积设备，真空反应室采用可拆卸连接的内外双腔结构，设备体积小，便于清洗，通用性好，可以满足不同尺寸，不同形状半导体器件的镀膜工艺需求，能够满足工业化大规模生产的需求。

主权项

1.一种原子层沉积设备，其特征在于，所述设备包括：真空反应室、载气瓶和前驱体源瓶；其中，所述真空反应室包括沉积室和真空室，所述沉积室设于所述真空室的腔体内，且所述沉积室与所述真空室可拆卸连接；所述载气瓶通过载气管路与所述沉积室连通，所述前驱体源瓶通过前驱体管路与所述沉积室连通；所述沉积室开设有内腔真空抽气口，所述真空室开设有外腔真空抽气口，所述沉积室通过所述内腔真空抽气口与抽真空设备连接，所述真空室通过所述外腔真空抽气口与抽真空设备连接。