[发明专利]制造MRAM单元的阵列的方法、写入该MRAM单元的方法有效
| 申请号： | 201910635581.9 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110729005B | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 应继锋;王仲盛;牛宝华 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G11C11/16 | 分类号： | G11C11/16;H01L27/22 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种制造磁性随机存取存储器单元的阵列的方法包括写入磁性随机存取存储器单元。写入存储器单元包括确定所述存储器单元的阵列的最佳写入电流；以及将所述最佳写入电流应用于所述阵列中的第一存储器单元。将第一读取电流应用于第一存储器单元以响应于应用所述最佳写入电流，确定第一存储器单元的磁取向是否已经改变。当第一存储器单元的磁取向没有改变时，将第二写入电流应用于第一存储器单元。第二写入电流不同于最佳写入电流。将第二读取电流应用于第一存储器单元，以响应于应用第二读取电流，确定第一存储器单元的磁取向是否改变。本发明实施例还涉及写入磁性随机存取存储器单元的方法。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 mram 单元 阵列 方法 写入 | ||
【主权项】：
1.一种制造磁性随机存取存储器单元的阵列的方法，包括：/n写入磁性随机存取存储器单元，包括：/n确定用于所述磁性随机存取存储器单元的阵列的最佳写入电流；/n将所述最佳写入电流应用于所述阵列中的第一磁性随机存取存储器单元；/n将第一读取电流应用于所述第一磁性随机存取存储器单元以响应于所述应用所述最佳写入电流，确定所述第一磁性随机存取存储器单元的磁取向是否已经改变；/n当所述第一磁性随机存取存储器单元的磁取向没有改变时，将第二写入电流应用于所述第一磁性随机存取存储器单元，其中，所述第二写入电流不同于所述最佳写入电流；以及/n将第二读取电流应用于所述第一磁性随机存取存储器单元，以响应于所述应用所述第二读取电流，确定所述第一磁性随机存取存储器单元的磁取向是否已经改变。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910635581.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
