[发明专利]一种MSe2薄膜材料及其制备方法和应用在审
| 申请号： | 201910635653.X | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110195214A | 公开（公告）日： | 2019-09-03 |
| 发明（设计）人： | 邹俭鹏;冒旭 | 申请（专利权）人： | 中南大学 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/58 |
| 代理公司： | 长沙永星专利商标事务所(普通合伙) 43001 | 代理人： | 何方 |
| 地址： | 410083 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种MSe2薄膜材料及其制备方法和应用，属于薄膜材料制备技术领域，包括基底、以及负载于基底上的MSe2薄膜，所述MSe2薄膜由二硒化钨薄膜、二硒化钼薄膜中的至少一种构成。本发明提供的MSe2薄膜材料，二硒化钨薄膜和/或二硒化钼薄膜以层状结构水平生长于不锈钢表面，每一层都以密排六方的结构紧密堆积，形成稳定性良好的单分子层，而每层单分子之间，依靠范德瓦尔斯力，结合成层状半导体材料，其层与层之间易于滑动，在摩擦材料应用中可达到较低的摩擦系数。 | ||
| 搜索关键词： | 薄膜材料 薄膜 制备方法和应用 二硒化钼薄膜 二硒化钨 基底 范德瓦尔斯力 制备技术领域 不锈钢表面 层状半导体 层状结构 单分子层 紧密堆积 摩擦材料 摩擦系数 水平生长 滑动 单分子 密排 应用 | ||
【主权项】：
1.一种MSe2薄膜材料，其特征在于，包括基底、以及负载于基底上的MSe2薄膜，所述MSe2薄膜由二硒化钨薄膜、二硒化钼薄膜中的至少一种构成。
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