[发明专利]形成自对准栅极及源/漏接触以及所得装置在审
| 申请号： | 201910635745.8 | 申请日： | 2019-07-15 |
| 公开（公告）号： | CN110828554A | 公开（公告）日： | 2020-02-21 |
| 发明（设计）人： | 朱利安·弗罗吉尔;谢瑞龙;朴灿柔;程慷果 | 申请（专利权）人： | 格芯公司 |
| 主分类号： | H01L29/417 | 分类号： | H01L29/417;H01L29/423;H01L29/78;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及形成自对准栅极及源/漏接触以及所得装置，其中，一种方法包括：形成主动层；在该主动层的沟道区上方形成栅极结构；邻近该栅极结构形成侧间隙壁；邻近该侧间隙壁形成第一介电层；凹入该栅极结构以界定栅极空腔；在该栅极空腔中形成内间隙壁；在该栅极空腔中形成覆盖层；凹入该第一介电层及该侧间隙壁，以暴露该覆盖层的侧壁表面；移除该内间隙壁，以界定第一间隙壁空腔；在该间隙壁空腔中并接触该覆盖层的侧壁表面形成上间隙壁；在该上间隙壁及该覆盖层上方形成第二介电层；以及形成至少部分嵌入该第二介电层中并接触该上间隙壁的表面的第一接触结构。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 对准 栅极 漏接 以及 所得 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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