[发明专利]相位检测自动对焦像素元件及其形成方法,图像传感器及其形成方法有效
申请号: | 201910638161.6 | 申请日: | 2019-07-15 |
公开(公告)号: | CN110349987B | 公开(公告)日: | 2022-04-01 |
发明(设计)人: | 黄增智;倪凌云;黄晓橹 | 申请(专利权)人: | 德淮半导体有限公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/369 |
代理公司: | 北京市一法律师事务所 11654 | 代理人: | 刘荣娟 |
地址: | 223300 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本申请涉及半导体技术领域,具体地涉及一种相位检测自动对焦像素元件及其形成方法,以及图像传感器及其形成方法。所述相位检测自动对焦像素元件(PDAF)包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括至少两个像素区域;增透层,所述增透层位于所述半导体衬底上;至少两个掩埋透镜,所述至少两个掩埋透镜位于所述增透层上,位置对应于所述至少两个像素区域。所述掩埋透镜可以聚集射入到PDAF像素元件中的光线,增加所述PDAF像素元件的进光量,增大所述PDAF元件中像素区域之间的光强差别,增大所述PDAF像素元件对光线的响应角度,提高对焦灵敏度。 | ||
搜索关键词: | 相位 检测 自动 对焦 像素 元件 及其 形成 方法 图像传感器 | ||
【主权项】:
1.一种相位检测自动对焦像素元件,包括:半导体衬底,所述半导体衬底包括至少两个像素区域;增透层,所述增透层位于所述半导体衬底上;至少两个掩埋透镜,所述至少两个掩埋透镜位于所述增透层上,位置对应于所述至少两个像素区域;滤色层,所述滤色层位于所述增透层上,并且覆盖所述至少两个掩埋透镜;微透镜,位于所述滤色层上,横跨所述至少两个像素区域。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于德淮半导体有限公司,未经德淮半导体有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201910638161.6/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种影像传感器晶圆级封装方法及封装结构
- 下一篇:发光二极管显示装置
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的