[发明专利]一种基于有机场效应晶体管的存储器及制备方法

摘要

本发明公开了一种基于有机场效应晶体管的存储器及制备方法，所述存储器的结构包括栅极电极、栅极氧化层、自组装单分子层、有机活性层、Cu源极和Cu漏极；其中所述栅极电极为重掺杂硅衬底或者表面蒸镀Al栅极的柔性衬底，所述栅极氧化层为SiO₂，所述自组装单分子层为十八烷基三氯硅烷，所述有机活性层为N型有机半导体全氟酞菁铜。本发明能够提高存储窗口、加快编程效率和改善维持时间，提高了器件的工作稳定性，可实现全电调控的工作模式；其制备方法简便，便于实现工业级应用。

主权项

1.一种基于有机场效应晶体管的存储器，其特征在于：其结构包括栅极电极(1)、栅极氧化层(2)、自组装单分子层(3)、有机活性层(4)、Cu源极(5)和Cu漏极(6)；其中所述栅极电极(1)为重掺杂硅衬底或者表面蒸镀Al栅极的柔性衬底，所述栅极氧化层(2)为SiO₂，所述自组装单分子层(3)为十八烷基三氯硅烷，所述有机活性层(4)为N型有机半导体全氟酞菁铜。