[发明专利]基于碲化铋-石墨烯异质结的太赫兹探测器及其制备方法在审
| 申请号： | 201910638572.5 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110473935A | 公开（公告）日： | 2019-11-19 |
| 发明（设计）人： | 金立川;张磊;贾侃成;张怀武;张岱南;魏苗清;文岐业 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L31/112 | 分类号： | H01L31/112;H01L31/18 |
| 代理公司： | 51203 电子科技大学专利中心 | 代理人： | 吴姗霖<国际申请>=<国际公布>=<进入 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种基于碲化铋‑石墨烯异质结的太赫兹波探测器及其制备方法，属于太赫兹波探测器件技术领域。所述探测器包括半导体衬底，形成于半导体衬底之上的绝缘层，形成于绝缘层之上的由石墨烯和碲化铋层组成的异质结，位于异质结两端的源极和漏极，以及形成于半导体衬底背面的栅极。本发明采用石墨烯和碲化铋纳米片组成的异质结作为场效应管沟道，有效解决了单层石墨烯在太赫兹频段光吸收率低的问题，吸收率相较于单层石墨烯提高了20％以上；采用背栅以及先形成源极和漏极的方法，有效保证了石墨烯‑碲化铋异质结的完整性，提高了太赫兹探测器的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 异质结 石墨烯 碲化铋 衬底 绝缘层 半导体 太赫兹波探测器 单层石墨烯 漏极 源极 吸收率 场效应管沟道 太赫兹探测器 光吸收率 有效解决 纳米片 频段 探测器 背栅 制备 保证 | ||
【主权项】：
1.基于碲化铋-石墨烯异质结的太赫兹波探测器，其特征在于，包括半导体衬底(4)，形成于半导体衬底(4)之上的绝缘层(5)，形成于绝缘层(5)之上的由石墨烯(2)和碲化铋层(1)组成的异质结，位于异质结两端的源极(6)和漏极(7)，以及形成于半导体衬底背面的栅极3。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
