[发明专利]以二次谐波为读写方式的多级相变存储器及其制备方法有效
| 申请号： | 201910638968.X | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110459243B | 公开（公告）日： | 2021-02-02 |
| 发明（设计）人： | 孟云;江明辉;王阳;魏劲松 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海光学精密机械研究所 |
| 主分类号： | G11B7/243 | 分类号： | G11B7/243;G11B7/24035;G11B7/26;G11B7/0045;G11B7/005 |
| 代理公司： | 上海恒慧知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31317 | 代理人： | 张宁展 |
| 地址： | 201800 *** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种以二次谐波为读写方式的多级相变存储器，包括非晶态的相变记录层，通过调节记录光作用于相变记录层的偏振方向，在相变记录层上形成不同晶粒取向的晶态记录点，利用探测光照射不同晶粒取向的晶态记录点，得到不同信号强度的二次谐波，从而完成数据读写。同时提供了一种以二次谐波为读写方式的多级相变存储器的制备方法。本发明以二次谐波为读出信号，能够达到多级存储的效果；通过调节记录光的不同偏振方向，使读出光二次谐波的强度不同，从而达到多级存储的目的；本发明既保存了传统相变存储器读出速度快、可擦写性好的特点；同时，由于其读出方式不是反射率，存储器中不需要反射层，其结构更为简单。 | ||
| 搜索关键词： | 二次 谐波 读写 方式 多级 相变 存储器 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种以二次谐波为读写方式的多级相变存储器，包括非晶态的相变记录层，其特征在于，通过调节记录光作用于相变记录层的偏振方向，在相变记录层上形成不同晶粒取向的晶态记录点，利用探测光照射不同晶粒取向的晶态记录点，得到不同信号强度的二次谐波，从而完成数据读写。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院上海光学精密机械研究所，未经中国科学院上海光学精密机械研究所许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910638968.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
