[发明专利]三维半导体存储器件在审
| 申请号： | 201910639467.3 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110729304A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 李奉镕;金泰勋;裵敏敬 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11582;H01L29/792 |
| 代理公司： | 11105 北京市柳沈律师事务所 | 代理人： | 张波 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
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| 摘要： | 一种三维(3D)半导体存储器件可以包括：堆叠结构，包括顺序地堆叠在衬底上的栅电极；以及穿透堆叠结构的垂直沟道。栅电极可以包括顺序地堆叠在衬底上的地选择栅电极、单元栅电极、串选择栅电极和擦除栅电极。 | ||
| 搜索关键词： | 堆叠结构 栅电极 衬底 堆叠 半导体存储器件 串选择栅电极 单元栅电极 选择栅电极 垂直沟道 擦除栅 电极 穿透 三维 | ||
【主权项】：
1.一种三维(3D)半导体存储器件，包括：/n堆叠结构，包括顺序地堆叠在衬底上的栅电极；以及/n穿透所述堆叠结构的垂直沟道，/n其中所述栅电极包括顺序地堆叠在所述衬底上的地选择栅电极、单元栅电极、串选择栅电极和第一擦除栅电极。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
