[发明专利]薄膜太阳能电池及其形成方法在审
| 申请号： | 201910641583.9 | 申请日： | 2013-08-29 |
| 公开（公告）号： | CN110416358A | 公开（公告）日： | 2019-11-05 |
| 发明（设计）人： | 江济宇;邱永升;严文材 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0224;H01L31/0463;H01L31/0749 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明描述了一种具有改善的性能的太阳能电池器件及其制造方法。太阳能电池包括形成在衬底上的后接触层、形成在后接触层上的吸收层、形成在吸收层上的缓冲层、以及在缓冲层上通过沉积透明导电氧化物(TCO)层并将沉积的TCO层进行退火形成的前接触层。 | ||
| 搜索关键词： | 后接触层 缓冲层 吸收层 沉积 薄膜太阳能电池 太阳能电池器件 透明导电氧化物 退火 太阳能电池 前接触层 衬底 制造 | ||
【主权项】：
1.一种用于制造太阳能电池的方法，包括：在衬底上形成后接触层；在所述后接触层上形成吸收层；在所述吸收层上形成缓冲层；划出穿过所述缓冲层和所述吸收层的P2线；在所述缓冲层上方沉积透明导电氧化物(TCO)层；对所沉积的TCO层进行退火以提供前接触层；以及划出穿过所述TCO层、所述缓冲层和所述吸收层的P3线，其中，所述P2线和所述P3线暴露所述后接触层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910641583.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
