[发明专利]半导体装置的形成方法在审
| 申请号： | 201910642619.5 | 申请日： | 2019-07-16 |
| 公开（公告）号： | CN110729193A | 公开（公告）日： | 2020-01-24 |
| 发明（设计）人： | 杨建勋;林立德 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L21/8234 |
| 代理公司： | 72003 隆天知识产权代理有限公司 | 代理人： | 黄艳 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 形成气隙间隔物于半导体装置中的方法，包括提供装置，其含有栅极堆叠、多个间隔物层位于栅极堆叠的侧壁上、以及源极/漏极结构与栅极堆叠相邻。在一些实施例中，移除间隔物层的第一间隔物层，以形成气隙于栅极堆叠的侧壁上。在多种例子中，接着沉积第一密封层于气隙的顶部上以形成密封的气隙，并沉积第二密封层于第一密封层上。之后采用第一蚀刻制程，自源极/漏极结构上蚀刻第一自对准接点层。在多种实施例中，第一蚀刻制程选择性地蚀刻第一自对准接点层，而第一密封层与第二密封层维持未蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 密封层 栅极堆叠 蚀刻 间隔物层 气隙 蚀刻制程 接点层 自对准 侧壁 沉积 半导体装置 源极/漏极 漏极结构 气隙间隔 提供装置 移除 自源 密封 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置的形成方法，包括：/n提供一装置，其包括一栅极堆叠、多个间隔物层位于该栅极堆叠的一侧壁上、以及一源极/漏极结构与该栅极堆叠相邻；/n移除所述间隔物层的一第一间隔物层，以形成一气隙于该栅极堆叠的该侧壁上；/n沉积一第一密封层于该气隙的顶部上，以形成一密封的气隙；以及/n采用一第一蚀刻制程，自该源极/漏极结构上蚀刻一第一自对准接点层，其中该第一蚀刻制程选择性地蚀刻该第一自对准接点层，而该第一密封层维持未蚀刻。/n
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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