[发明专利]一种用于半导体超薄外延结构的应力调节层有效
| 申请号： | 201910643471.7 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110518102B | 公开（公告）日： | 2021-08-03 |
| 发明（设计）人： | 游正璋;马后永;李起鸣 | 申请（专利权）人： | 上海显耀显示科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 200013 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种用于半导体超薄外延结构的应力调节层，采用多周期应力调节层以及位于多周期应力调节层顶部的第一导电类型位错微调层来降低第一导电类型外延层中的应力，并且利用第一导电类型位错微调层来控制应力调节层表面的位错浓度。由于外延结构非常薄，在制备器件的过程中，对外延结构的刻蚀并不会造成外延结构的侧壁倾斜度很大，近似垂直，由于刻蚀后的外延结构顶部和底部的面积相近，从而克服了传统外延结构顶部小于底部造成有效出光面积减小的问题，提高了芯片集成度，提高了器件单位面积的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 用于 半导体 超薄 外延 结构 应力 调节 | ||
【主权项】：
1.一种用于半导体超薄外延结构的应力调节层，应力调节层位于一外延层上，其特征在于，所述应力调节层包括多层多周期应力调节层和位于多层多周期应力调节层顶部的一位错微调层；所述外延层的导电类型与所述位错微调层的导电类型相同。/n
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海显耀显示科技有限公司，未经上海显耀显示科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910643471.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种UV LED外延结构及其生长方法
- 下一篇：半导体发光装置
