[发明专利]动态半导体存储器装置及具有其的存储器系统在审
| 申请号： | 201910644493.5 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN111261208A | 公开（公告）日： | 2020-06-09 |
| 发明（设计）人： | 秋喆焕;金光贤 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | G11C11/406 | 分类号： | G11C11/406;G11C11/4074;G11C11/409 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 尹淑梅;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 提供了动态半导体存储器装置及包括其的存储器系统。动态半导体存储器装置包括：存储器单元阵列，包括具有连接在第一字线与第一位线之间的多个第一动态存储器单元的第一存储器单元阵列块、具有连接在第二字线与第二位线之间的多个第二动态存储器单元的第二存储器单元阵列块及具有感测放大器的感测放大块，感测放大器被配置为将第一位线和第二位线的电压放大至第一感测电源电压或比第一感测电源电压高的第二感测电源电压；温度传感器单元，被配置为感测温度并生成温度感测信号；以及电压生成器，被配置为响应于温度感测信号生成第一或第二感测电源电压，将第一或第二感测电源电压施加到存储器单元阵列，将感测接地电压施加到存储器单元阵列。 | ||
| 搜索关键词： | 动态 半导体 存储器 装置 具有 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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