[发明专利]一种二维GaTe材料的制备方法有效
| 申请号： | 201910645657.6 | 申请日： | 2019-07-17 |
| 公开（公告）号： | CN110240127B | 公开（公告）日： | 2021-03-23 |
| 发明（设计）人： | 汪桂根;韩茂;杨硕;党乐阳 | 申请（专利权）人： | 哈尔滨工业大学（深圳） |
| 主分类号： | C01B19/04 | 分类号： | C01B19/04 |
| 代理公司： | 深圳市科吉华烽知识产权事务所(普通合伙) 44248 | 代理人： | 胡吉科 |
| 地址： | 518000 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种二维GaTe材料的制备方法，包括依次执行如下步骤：步骤1：称取一定量的碲粉和镓液，将其分别放置于两个坩埚中，放置碲粉为碲源的坩埚为第一坩埚、放置镓液为镓源的坩埚为第二坩埚；步骤2：分别将步骤1中的所述第一坩埚、所述第二坩埚放置在CVD管式炉的上游和中心，所述第一坩埚、所述第二坩埚之间需间隔一定距离；步骤3：将衬底倒置在第二坩埚的正上方；步骤4：通入氩气和氢气的混合气体，并进行升温，当升温到设定温度时保温一定时间，然后自然冷却到室温，即能在所述衬底上沉积二维GaTe材料。本发明的有益效果是：1.本发明的制备方法采用化学气相沉积法，相较于常规的机械剥离法制备过程，更容易控制。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 gate 材料 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种二维GaTe材料的制备方法，其特征在于，包括依次执行如下步骤：步骤1：称取一定量的碲粉和镓液，将其分别放置于两个坩埚中，放置碲粉为碲源的坩埚为第一坩埚、放置镓液为镓源的坩埚为第二坩埚；步骤2：分别将步骤1中的所述第一坩埚、所述第二坩埚放置在CVD管式炉的上游和中心，所述第一坩埚、所述第二坩埚之间需间隔一定距离；步骤3：将衬底位于CVD管式炉内且倒置在第二坩埚正上方；步骤4：将氩气和氢气的混合气体通入CVD管式炉中，并对CVD管式炉进行升温，当升温到设定温度时保温一定时间，然后自然冷却到室温，即能在所述衬底上沉积二维GaTe材料。
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